| 发明名称 | 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构 | ||
| 摘要 | 氮化镓半导体层是这样制作的:用带有第一开孔阵列的第一掩模(106)掩蔽下氮化镓层(104),通过第一开孔阵列在下氮化镓层上进行生长而形成第一蔓生氮化镓半导体层(108a,b)。然后用带有第二开孔阵列的第二掩模(206)掩蔽第一蔓生层。第二开孔阵列在横向上是与第一开孔阵列错开的。通过第二开孔阵列从第一蔓生氮化镓层(108a,b)上进行生长并扩展到第二掩模(206)上,从而形成第二蔓生氮化镓半导体层(208a,b)。微电子器件(210)则形成在第二蔓生氮化镓半导体层(208a,b)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1292149A | 申请公布日期 | 2001.04.18 |
| 申请号 | CN99803400.2 | 申请日期 | 1999.02.26 |
| 申请人 | 北卡罗莱纳州立大学 | 发明人 | R·F·戴维斯;O·H·纳姆;T·泽勒瓦;M·D·布雷姆赛尔 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L33/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永;张志醒 |
| 主权项 | 1．一种制作氮化镓半导体层的方法，包括以下步骤：用带有开孔阵列的掩模对下氮化镓层进行掩蔽；通过开孔阵列从下氮化镓层上进行生长并扩展到掩模上而形成蔓生的氮化镓半导体层。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳州罗利 | ||