| 发明名称 | 光敏阵列电子传感器 | ||
| 摘要 | 一个光敏阵列电子传感器(1)包括一个安装在石墨基底(7)上的碘化铯CsI的平板(6),以便把高频电磁辐射(X－射线辐射)转换成低频辐射(为可见光领域中的辐射)。这说明:如果在一个石墨基底上生长CsI,那么与使用钆硫氢化物闪烁仪相比,可以获得一个具有较好分辨率和较高敏感度的传感器。在准备石墨的过程中,可进一步采取的防护措施是对石墨的表面较密地加以初涂。于是可以使用一层无定形碳(8)对其加以覆盖与或经过渗透(11)加以构造。这一密致化过程有助于传感器的均匀性。于是可通过一个合成树脂层(16)实现对CsI的保护,其中合成树脂层(16)与一个液态树脂层(17)相结合,用于与一个检测器(2)的光耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN1292096A | 申请公布日期 | 2001.04.18 |
| 申请号 | CN99803311.1 | 申请日期 | 1999.01.26 |
| 申请人 | 汤姆森－无线电报总公司 | 发明人 | 罗歇·洛吉耶 |
| 分类号 | G01T1/20;H01J29/38 | 主分类号 | G01T1/20 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1．光敏阵列电子传感器，包括一个覆盖有一个闪烁仪(3)的阵列图象检测器(2)，用于把高频电磁辐射(4)(通常为X-射线辐射)转换成低频辐射(5)(通常为可见光领域中的辐射)，其特征是，闪烁仪包括一个碘化铯平板(6)，这一平板由一个配置在接收高频辐射一侧的石墨基底(7)加以支撑。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||