| 摘要 |
<p>본 발명은 델타도핑(Delta doping)을 이용한 질화물 반도체 발광다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD)등 발광소자의 제작방법에 관한 것으로, 특히 낮은 비저항을 갖는 n형 접촉층과 비저항이 높은 전류퍼짐유도층을 결합하여 활성층에 전류를 균일하게 주입하여 고휘도 및 고발광효율을 갖도록 한 델타도핑을 이용한 질화물계 발광소자의 제작방법에 관한 것으로, 활성층과 기판과의 사이에 n형층이 형성된 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 n형층은 기판쪽에 형성되고, 도핑하지 않은 중간층과, 상기 중간층위에 접촉되면서 n형 도펀트로 델타도핑하여 비저항이 낮은 n형 접촉층과, 상기 n형 접촉층위에 접촉되면서 활성층쪽에 형성되고, 상기 n형 접촉층보다 비저항이 높은 전류퍼짐유도층을 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 이상에서와 같이 본 발명은, 낮은 비저항을 갖는 n형 접촉층과 비저항이 높은 전류퍼짐유도층을 결합하여 활성층에 전류를 균일하게 주입함으로써 휘도 및 발광효율을 증가시키는 효과가 제공된다.</p> |
