| 摘要 |
<p>본 발명은 에스오아이(SOI) 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 에스오아이 소자의 제조방법은, 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 산화막을 패터닝하여 일정 간격으로 배열되는 산화막 패턴을 형성하는 단계; 노출된 실리콘 기판 및 산화막 패턴 상에 실리콘 에피층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 에피층에 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 소자 분리막 및 실리콘 에피층 상에 매몰 산화막을 형성하는 단계; 상기 매몰 산화막의 일부분을 식각하는 것에 의해, 상기 매몰 산화막에 상기 실리콘 에피층의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 매몰 산화막 상에 상기 콘택홀을 통하여 상기 실리콘 에피층과 콘택되는 캐패시터를 형성하는 단계; 전체 상부에 표면 평탄화가 이루어진 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 지지기판을 본딩시키는 단계; 상기 산화막 패턴을 연마정지층으로 하는 화학적기계연마 공정으로 상기 실리콘 기판을 제거하고, 식각 공정으로 상기 산화막 패턴을 제거하는 단계; 상기 소자 분리막을 연마정지층으로 하는 화학적기계연마 공정으로 상기 실리콘 에피층을 연마하는 단계; 잔류된 실리콘 에피층에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
