| 摘要 |
<p>본 발명은 워드라인 구동부의 구성을 간략화하고, 부스트(boost)된 전압이 문턱전압의 손실없이 워드라인에 잘 인가되도록 하기 위해 NMOS 부스트 회로로 드라이버를 구성하는 것에 의해 전류 구동능력을 향상시키고, 레이아웃 면적을 효율적으로 이용할 수 있는 비휘발성 강유전체 메모리소자의 구동회로를 제공하기 위한 것으로, 제 1 스플릿 워드라인과 제 2 스플릿 워드라인이 쌍을 이루어 복수개의 스플릿 워드라인쌍이 가로지르고, 상기 스플릿 워드라인쌍을 가로지르는 방향으로 복수개의 비트라인이 구성되며 상기 스플릿 워드라인쌍들과 비트라인간의 사이에 구성되는 스위칭트랜지스터 및 강유전체 커패시터들로 이루어지는 셀 어레이부를 구비한 비휘발성 강유전체 메모리장치에 있어서, 글로벌 X디코더부에 의해 컨트롤되는 글로벌 워드라인에 시리얼하게 연결된 복수개의 트랜지스터들로 이루어진 X어드레스 신호 출력부; 상기 각 트랜지스터들의 출력전압에 의해 컨트롤되며 로컬 컨트롤부에서 출력되는 상기 제 1, 제 2 스플릿 워드라인쌍을 구동시키기 위한 구동신호를 출력하는 복수개의 트랜지스터들로 이루어진 스플릿 워드라인 구동신호 출력부; 상기 글로벌 워드라인과 상기 제 1, 제 2 스플릿 워드라인 사이에 각각 구성되어 해당 스플릿 워드라인의 플로팅 전압을 바이패스시키기 위한 복수개의 트랜지스터들로 이루어진 바이패스부를 포함하여 구성된다.</p> |
