| 摘要 |
<p>Br-메탄올계 에칭액을 이용하여 형성된 메사에 polyimide 코팅을 하여 레이저 다이오드를 형성시키기 위한 polyimide 코팅을 이용해 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드를 제조하는 방법이 개시되어 있다. N형의 InP 기판위에 1차성장으로 DH구조의 에피택셜층(B, C, D, E층)을 성장시킨 후 에피택셜층의 Cap layer인 E층을 제거한다. 상기 E층을 제거한 후 SiN막을 침착시키고, SiNstripe를 형성한 후 HBr계 에칭액을 이용하여 메사를 형성시키고, 메사의 양측 및 표면에 polyimide를 코팅시키므로써 코팅된 polyimide가 전류차단층의 기능을 수행하도록 함으로써 메사형태의 조절과 두께제어 및 도핑농도를 제어하지 않게 되며, BH 레이저 다이오드의 제작공정을 단축할 뿐만 아니라 수율을 높여주는 효과가 있다.</p> |
