SYNCHRONOUS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

摘要

본 발명은 동기형 반도체 기억 장치에 관한 것으로, 전원이 오프로 되더라도, 설정된 버스트 길이 등의 동작 모드가 소실되는 일이 없는 동기형 반도체 기억 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 여기서, 본 발명에 관한 동기형 반도체 기억 장치는, 동작 모드를 기억함과 동시에 그 동작 모드에 따라서 데이터의 판독 및 기입을 제어하는 불휘발성 기억 수단(11, 12, 13)을 구비한다.