| 摘要 |
<p>본 발명은 활성화된 다수개의 워드라인들을 순차적으로 디세이블시키는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 다수개의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와 상기 다수개의 메모리 셀들에 각각 연결된 다수개의 워드라인들을 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 외부로부터 입력되는 로우 어드레스를 프리디코딩하는 프리디코딩부, 상기 프리디코딩부 및 상기 다수개의 워드라인들과 연결되며 상기 프리디코딩부의 출력을 디코딩하여 상기 다수개의 워드라인들 중 일부를 선택하고 상기 선택된 일부 워드라인들을 활성화시키는 로우디코딩 및 워드라인 구동 블록, 및 상기 프리디코딩부와 상기 로우디코딩 및 워드라인 구동 블록과 연결되며 상기 로우 어드레스와 상기 프리디코딩부의 출력 및 적어도 하나의 제어 신호를 입력하고 적어도 하나의 출력 신호를 발생하며 상기 다수개의 워드라인들 중 일부가 활성화된 상태에서 상기 적어도 하나의 제어 신호가 인에이블되면 상기 로우 어드레스 및 상기 프리디코딩부의 출력에 응답하여 상기 적어도 하나의 출력 신호를 인에이블시켜서 상기 활성화된 일부 워드라인들을 순차적으로 디세이블시키는 제어부를 구비함으로써 프리차지 노이즈가 발생하지 않는다.</p> |
