| 发明名称 |
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHALLOW JUNCTION |
| 摘要 |
<p>3keV 이하의 가속전압으로 실리콘 기판상에서 2.5㎚ 의 두께를 갖는 실리콘 산화막을 통해 실리콘 기판으로 불순물을 도핑하는 단계 및 산화막을 잔존시킨 채로 실리콘 기판을 어닐링하는 단계를 구비하는, 불순물 확산층을 포함하는 실리콘 기판을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100286919(B1) |
申请公布日期 |
2001.04.16 |
| 申请号 |
KR19990006924 |
申请日期 |
1999.03.03 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
야스나가도모꼬 |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/316;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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