Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von ROM-Speicherzellen, wobei unter Verwendung von Standardprozessen eine späte Programmierung im Prozeß ermöglicht ist. Die Programmierung erfolgt hierbei im wesentlichen durch selbstjustierendes Ausbilden von Punch-Through-Gebieten (111) in jeweils zu programmierenden ROM-Speicherzellen (121) unter Verwendung von Steuerelektroden (104) als Maske.
申请公布号
DE19929675(A1)
申请公布日期
2001.04.12
申请号
DE19991029675
申请日期
1999.06.28
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
WAWER, PETER;HEITZSCH, OLAF;ROEHRICH, MAYK;SPRINGMANN, OLIVER;HUCKELS, KAI;STEIN VON KAMIENSKI, ELARD;WOLF, KONRAD;RENNEKAMP, REINHOLD;KUTTER, CHRISTOPH;LUDWIG, CHRISTOPH
