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Bei einer integrierten optoelektronischen Mikroelektronikanordnung ist der optoelektronisch aktive Diodenteil, welcher in einem Halbleitersubstrat (20) durch Sperrschichten bildende Zonen (24, 25, 26, 27) gebildet ist, in einer auf dem Halbleitersubstrat (20) senkrecht stehendes Mesa (26) in deren Erstreckungsrichtung verlaufend vorgesehen und ein Lichtwellenleiter (28) derart optisch an dem Diodenteil angekoppelt, daß Licht über die Mesaseitenwand in diesem eingekoppelt wird.
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