| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft zunächst ein Verfahren zur frühzeitigen Detektion von Systemausfällen von Halbleiterschaltelementen (2), insbesondere von sogenannten IGBT-(Insulated Gated Bipolar Transistor)- Halbleiterschaltelementen, die an Bondierstellen (1) über elektrische Leitungen (13) kontaktiert werden. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens auf eine der Leitungen (13) eine Zugkraft wirkt, wobei die Frühzeitigkeit durch die Wahl der Zugkraftgrösse einstellbar ist, und dass ein Ablösen bzw. Abreissen von einer oder von mehreren Leitungen (13) von ihren Bondierstellen (1) detektiert wird. Des Weiteren ist eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und eine Anwendung des Verfahrens bzw. eine Verwendung der Vorrichtung angegeben. Die Erfindung ermöglicht es aus überaus einfache Weise, einen Systemausfall frühzeitig vorherzusagen, womit Massnahmen zur Verhinderung des Systemausfalls rechtzeitig eingeleitet werden können.</p> |
