| 主权项 |
1.一种具有高量子效率之光二极体,包括一基底以及形成于该基底中之第一与第二掺杂区,其中该第一与第二掺杂区之掺杂离子具有相反之极性,其特征在于:该第一与第二掺杂区在该基底表面方向所形成之交接线呈S形扭曲状,使该第一与第二掺杂区之接合面面积增加。2.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该第一及第二掺杂区位于相对两侧,该S形扭曲状之交接线使该第一及第二掺杂区具有复数相嵌之指状突出部。3.如申请专利范围第2项所述之光二极体,其中在该第一与第二掺杂区间形成一空乏区,且该空乏区之大小系由该第一与第二掺杂区之离子浓度决定。4.如申请专利范围第3项所述之光二极体,其中该第一与第二掺杂区之离子浓度使所形成之空乏区完全覆盖该等指状突出部。5.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该基底为P型基底。6.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该第一掺杂区为P型离子掺杂区。7.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该第二掺杂区为N型离子掺杂区。8.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中更包括一位于该基底上之场氧化层。图式简单说明:第一图A及第一图B显示一传统光二极体之P/N接面结构;第二图A及第二图B显示本发明一实施例之光二极体P/N接面结构。 |
