| 主权项 |
1.一种埋入式位元线之制造方法,其包括:提供一绝缘层有矽之基底,该基底包括一矽底材,一第一绝缘层覆盖于该矽底材上以及一磊晶矽层覆盖于该第一绝缘层上;于该磊晶矽层中形成与该第一绝缘层相接触之一浅沟渠隔离;于该基底上方形成一图案化之位元线罩幕层,并裸露部分该浅沟渠隔离;以该图案化之位元线罩幕层为罩幕,于该基底中形成一沟渠,该沟渠穿透该浅沟渠隔离并且深入该第一绝缘层中;于该沟渠中形成一埋入式位元线,该埋入式位元线之一表面介于该浅沟渠隔离之一上表面与一下表面之间;于该埋入式位元线上,形成一第二绝缘层,该第二绝缘层填满该沟渠;移除该图案化之位元线罩幕层;于该基底上方以及该磊晶矽层中分别形成复数个字元线以及复数个源极/汲极区;于该基底上方形成一第三绝缘层,并且填满该字元线之间;进行一自行对准接触窗制程,以在该些字元线之间形成裸露出该埋入式位元线与部分该源极/汲极区之一位元线接触窗开口;以及于该位元线接触窗开口中,形成一位元线接触,其中该位元线接触电性连接该埋入式位元线与该源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之埋入式位元线之制造方法,其中形成该埋入式位元线之方法包括:于该基底上方形成一导电层,并填满该沟渠;进行一化学机械研磨制程,移除部分该导电层,直到裸露出裸露出该图案化之位元线罩幕层之表面;以及进行一回蚀刻制程,移除位于该沟渠中之部分导电层,以形成表面介于该浅沟渠隔离之该上表面与该下表面之间的该埋入式位元线。3.如申请专利范围第1项所述之埋入式位元线之制造方法,其中该图案化之位元线罩幕层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之埋入式位元线之制造方法,其中形成该第二绝缘层之方法包括:于该基底上方形成一绝缘材料,该绝缘材料填满已形成有该埋入式位元线之该沟渠;进行一化学机械研磨制程,移除部分该绝缘材料,直到裸露出该图案化之位元线罩幕层;以及进行一回蚀刻制程,移除位于该沟渠中之部分绝缘材料,直到剩余之绝缘材料之表面与该磊晶矽层之该表面共平面。5.如申请专利范围第1项所述之埋入式位元线之制造方法,其中移除该图案化之位元线罩幕层之方法包括以磷酸溶液为蚀刻液之湿式蚀刻法。6.一种于浅沟渠隔离中形成埋入式位元线之方法,其包括:提供一绝缘层有矽之基底,该基底包括一矽底材,一第一绝缘层覆盖于该矽底材上以及一磊晶矽层覆盖于该第一绝缘层上;于该磊晶矽层中形成与该第一绝缘层相接触之一浅沟渠隔离;于该基底上方形成一图案化氮化矽层,并裸露部分该浅沟渠隔离;以该图案化氮化矽层为罩幕,于该基底中形成一沟渠,该沟渠穿透该浅沟渠隔离并且深入该第一绝缘层中;于该基底上方形成一导电材料,该导电材料填满该沟渠;进行一化学机械研磨制程,移除部分该导电材料,直到裸露出该图案化氮化矽层之表面;进行一回蚀刻制程,移除位于该沟渠中之部分导电材料,以形成表面介于该浅沟渠隔离之上与下表面之间的一埋入式位元线;于该埋入式位元线上,形成一第二绝缘层,该第二绝缘层填满该沟渠;移除该图案化氮化矽层;于该基底上方以及该磊晶矽层中分别形成复数个字元线以及复数个源极/汲极区;于该基底上方形成一第三绝缘层,并且填满该字元线之间;进行一自行对准接触窗制程,以在该些字元线之间形成裸露出该埋入式位元线与部分该源极/汲极区之一位元线接触窗开口;以及于该位元线接触窗开口中,形成一位元线接触,其中该位元线接触电性连接该埋入式位元线与该源极/汲极区。7.如申请专利范围第6项所述之埋入式位元线之制造方法,其中形成该第二绝缘层之方法包括:于该基底上方形成一绝缘材料,该绝据材料填满已形成有该埋入式位元线之该沟渠;进行一化学机械研磨制程,移除部分该绝缘层,直到裸露出该图案化氮化矽层;以及进行一回蚀刻制程,移除位于该沟渠中之部分绝缘层,以形成具有一表面与该磊晶矽层之该表面共平面之该第二绝缘层。8.如申请专利范围第6项所述之埋入式位元线之制造方法,其中移除该图案化之氮化矽层之方法包括以磷酸溶液为蚀刻液之湿式蚀刻法。图式简单说明:第一图至第四图系显示习知一种动态随机存取记忆体之制造流程剖面图;以及第五图至第九图所示,为根据本发明一较佳实施例之于浅沟渠隔离中形成埋入式位元线之制造流程剖面图;第七图A为在第七图中,沿I-I之剖面图;第八图A为第八图中,沿I-I线之剖面图;第九图A为第九图中,沿I-I线;以及第九图B为第九图A中,沿II-II线之剖面图。 |
