发明名称 具平面线路构造的感应构件及其制造方法
摘要 一种具平面线路构造的感应构件以及制造这种构件的方法。此感应构件有一载体基质(10)以及至少一个平坦的线路构造(2O),其中设有一个设在该载体基质(10)上的绝缘构造(30),它至少有一个大致垂直的凹隙(40),其中,该至少一个平面的线路构造(20)(20’)在至少一凹隙(40)内延伸,且利用该绝缘构造垂直地固定在距载体基质(10)一段距离处,且该至少一凹隙(40)在该至少一平面线路构造(20)(20’)的上方及下方用肥粒铁材料(50)充填。
申请公布号 TW429384 申请公布日期 2001.04.11
申请号 TW088114454 申请日期 1999.08.24
申请人 罗伯特博斯奇股份有限公司 发明人 克劳斯库特纳;莱菌哈德汉克;罗夫罗曼;乔金杜西;乌多普斯旭;乔治辛默曼
分类号 H01F17/04 主分类号 H01F17/04
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种感应构件,此感应构件有一载体基质(10)以及至少一个平面的线路构造(20)(20'),其特征在:设有一个设在该载体基质(10)上的绝缘构造(30),该绝缘构造至少有一个大致垂直的凹隙(40),其中,该至少一个平面的线路构造(20)(20')在至少一凹隙(40)内延伸,且利用该绝缘构造(30)(31)(32)垂直地固定在距载体基质(10)一段距离处,且该至少一凹隙(40)在该至少一平面线路构造(20)(20')的上方及下方完全用肥粒铁材料(50)充填。2.如申请专利范围第1项之感应构件,其中:在该至少一凹隙(40)内,在至少一线路构造(20)(20')的上方与下方设有绝缘构造(30)(31)的区域以将该线路构造固定。3.一种感应构件,具有一载体基质(10)及至少一线路构造(20)(20'),其特征在:至少在该载体基质(10)中有一凹隙(41),并有一绝缘构造(31)设在该至少一 线路构造(20)(20')上,且至少有一大致垂直的凹隙(40),其中,该至少一平面线路构造(20)(20')也在至少一凹隙(40)内延伸,且该至少一凹洞(1)与该至少一凹隙(40)完全用肥粒铁材料(50)充填。4.如申请专利范围第3项之感应构件,其中:至少一凹隙(41)及至少一凹隙(40)垂直地对准。5.如申请专利范围第3项之感应构件,其中:在该至少一凹洞(41)与至少一凹隙(40)中在该至少一线路构造(20)(20')的上方及/或下方各有绝缘构造(30)(31)的区域,以供该线路构造固定。6.如申请专利范围第1或2项之感应构件,其中:该载体基质(10)宜为一种陶瓷或半导体材料。7.如申请专利范围第1或2项之感应构件,其中:该绝缘构造(30)(31)(32)为一聚合物层或玻璃层。8.如申请专利范围第1或2项之感应构件,其中:该肥粒铁材料(50)为一种含肥粒铁的塑胶基质。9.如申请专利范围第1或2项之感应构件,其中:它构成具有预定电感値的一种线圈或传输器。10.一种制造一种感应构件的方法,包含以下步骤:将一第一绝缘层(30)施到一载体基质(10)上,将至少一平面线路构造(20)(20')施上去,将一第二绝缘层(31)施加上去,在该绝缘层(30)(31)中在该至少一线路层(20)(20')上方及下方形成至少一凹隙(40),穿过该层直到载基基质(10)为止,且将至少一凹隙(40)用肥粒铁材料(50)充填。11.如申请专利范围第10项之方法,其中:在形成该至少一凹隙(40)之前,将至少另一线路层(20)(20')施覆,并在其上方施一第三绝缘层(32)。12.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:该线路构造(20)(20')至少有二个系穿过该至少一绝缘层(31)过去互相呈导电连接。13.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:在该至少一凹隙(40)内在至少一线路构造(20)(20')下方设有绝缘层(30)(31)的区域,以作支持之用。14.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:在该载体基质(10)中至少形成一凹洞(41),且将该第一绝缘层(30)设入该至少一凹洞(41)中。15.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:该绝缘层(30)(31)(32)为聚合物层或玻璃层。16.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:该肥粒铁材料(50)为一种含肥粒铁的塑胶基质。17.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:该载体基质(10)为一种陶瓷或半导体材料。18.如申请专利范围第10或11项之方法,其中:它系一种具预定电感値的线圈或传输器。图式简单说明:第一图系依本发明第一实施例的一感应构件,第二图系依本发明第二实施例的一感应构件,第三图系依本发明第三实施例的一感应构件。
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