| 主权项 |
1.一种使一半导体晶片上之元件稳定的方法,该半导体晶片之元件上包含有一层间介电(inter-layerdielectric, ILD)层,该方法包含有下列步骤:于一纯氢的环境下,对该半导体晶片进行一热处理;其中,该热处理之温度系为摄氏400度以上,该热处理的时间为60至120分钟。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片另有一金属层,设于该层间介电层之上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片之元件包含有复数之n型与p型之金氧半电晶体。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法系使用于该半导体晶片上之内连接完成后的制程。图式简单说明:第一图为本发明之方法的示意图;第二图为本发明之方法运用于第一金属层后的示意图;第三图为本发明之方法运用于内连接完成后的示意图;第四图为本发明之方法与习知技术之n型MOS电晶体实验结果比较图;第五图为本发明之方法与习知技术之p型MOS电晶体实验结果比较图;以及第六图为本发明之方法与习知技术所造成的元件特性的比较。 |
