| 主权项 |
1.一种形成记忆体晶胞的方法,该方法至少包含:提供一底材;在该底材上形成一介电质结构层;在该介电质结构层上依序形成一导体层以及一研磨终止层;在该底材上定义一位元线图案并且形成位元线;在该导体层以及该研磨终止层的侧壁上形成间隙壁;进行自行对准金属化物制程;在该位元线上填入一氧化层;对该氧化层蚀刻至该研磨终止层;移除该研磨终止层;及沉积一多晶矽层用以形成一字元线。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物/氮化物/氧化物结构层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述导体层系选自于由多晶矽,钨,钽,以及金属矽化物所组成的族群元素。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氧化层系以高密度电浆化学气相沉积法形成。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述对该氧化层蚀刻至该研磨终止层之方法为化学机械研磨法研磨至该研磨终止层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氧化层系以旋涂玻璃形成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述对该氧化层蚀刻至该研磨终止层之方法为化学机械研磨法研磨至该研磨终止层。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述研磨终止层包含氮化矽层。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述在该底材上定义一位元线图案并且形成位元线之步骤至少包含:依序蚀刻一部份该研磨终止层,该第一多晶矽层,以及该介电质结构层;及以离子植入法在该底材上形成一离子植入区。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述沉积一多晶矽层用以形成一字元线的步骤至少包含:沉积该多晶矽层;及将该字元线之图案转移到该多晶矽层。12.如申请专利范围第1项之方法,更包含在该记忆体晶胞周围形成金属氧化物半导体元件。13.一种形成记忆体晶胞的方法,该方法至少包含:提供一底材;在该底材上形成一介电质结构层;在该介电质结构层上依序形成一第一多晶矽层以及一氮化矽层;在该底材上定义一位元线图案并且形成位元线;在该第一多晶矽层以及该氮化矽层的侧壁上形成间隙壁;进行自行对准金属化制程;以高密度电浆化学气相沉积法形成一氧化层;以化学机械研磨法研磨至该氮化矽层;移除该氮化矽层;及沉积一第二多晶矽层用以形成一字元线。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物/氮化物/氧化物结构层。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述在该底材上定义一位元线图案并且形成位元线之步骤至少包含:依序蚀刻一部份该研磨终止层,该第一多晶矽层,以及该介电质结构层;及以离子植入法在该底材上形成一离子植入区。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述沉积一第二多晶矽层用以形成一字元线的步骤至少包含:沉积该第二多晶矽层;及将该字元线之图案转移到该第二多晶矽层。18.如申请专利范围第13项之方法,更包含在该记忆体晶胞周围形成金属氧化物半导体元件。19.一种形成唯读记忆体结构的方法,该方法至少包含:提供一底材;在该底材上形成隔离元件以形成一金属氧化物半导体元件区与一晶胞区;在该晶胞区上形成一介电质结构层;在该金属氧化物半导体元件区的底材上形成一起始电压植入区;在该底材上依序形成一导体层以及一研磨终止层;在该晶胞区上定义一位元线图案并且形成位元线;在该导体层以及该研磨终止层的侧壁上形成间隙壁;进行自行对准金属化制程;在该位元线上填入一氧化层;对该氧化层蚀刻至该研磨终止层;移除该研磨终止层;沉积一多晶矽层,在该晶胞区上形成一字元线,在该金属氧化物半导体元件区上形成多晶矽闸极;在该金属氧化物半导体元件的该闸极的侧壁上形成间隙壁;及在该金属氧化物半导体元件的该底材上形成源极汲极区。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物/氮化物/氧化物结构层。21.如申请专利范围第19项之方法,其中上述导体层系选自于由多晶矽,钨,钽,以及金属矽化物所组成的族群元素。22.如申请专利范围第19项之方法,其中上述氧化层系以高密度电浆化学气相沉积法形成。23.如申请专利范围第22项之方法,其中上述对该氧化层蚀刻至该研磨终止层之方法为化学机械研磨法研磨至该研磨终止层。24.如申请专利范围第19项之方法,其中上述氧化层系以旋涂玻璃形成。25.如申请专利范围第24项之方法,其中上述对该氧化层蚀刻至该研磨终止层之方法为化学机械研磨法研磨至该研磨终止层。26.如申请专利范围第19项之方法,其中上述介电质结构层包含氧化物。27.如申请专利范围第19项之方法,其中上述研磨终止层包含氮化矽层。28.如申请专利范围第19项之方法,其中上述隔离元件系浅沟槽隔离。29.如申请专利范围第19项之方法,其中上述隔离元件系场氧区。30.如申请专利范围第19项之方法,其中上述在该底材上定义一位元线图案并且形成位元线之步骤至少包含:依序蚀刻一部份该研磨终止层,该第一多晶矽层,以及该介电质结构层;及以离子植入法在该底材上形成一离子植入区。31.如申请专利范围第19项之方法,其中上述沉积一多晶矽层用以形成一字元线的步骤至少包含:沉积该多晶矽层;及将该字元线之图案转移到该多晶矽层。图式简单说明:第一图为使用传统的氮化物唯读记忆体晶胞结构示意图;第二图为使用传统的技术,在形成晶片上记忆体阵列部分之剖面的结构示意图;及第三图A到第三图N系根据本发明所揭露之技术,在形成晶片上记忆体阵列部分之剖面时的各步骤结构示意图。 |
