| 主权项 |
1.一种不具芯片之突波吸收器,包含有:一对导线端子,具有形成放电极之宽尖端;密封垫片,安装且固定在该导线端子之含导线部份;和机壳,其中各具有该密封垫片固定于其上之该对导线端子从该机壳之两侧开口端插入,且当放电极固定在分开特定距离之对立位置上的时候,将此二密封垫片气密式地固定在该机壳上。2.一种不具芯片之突波吸收器,包含有:一对导线端子,具有形成放电极之宽尖端;密封垫片,安装且固定在前述导线端子之导线部份;和机壳,其中各具有该密封垫片固定于其上之该对导线端子从该机壳之两侧开口端插入,且当放电极固定在分开特定距离之对立位置上的时候,将此二密封垫片焊接在该机壳之内墙上。3.如申请专利范围第1项或第2项之不具芯片之突波吸收器,其中:提供于机壳内之气室中充满纯净乾燥之气体、或包含有纯净乾燥气体和惰性气体和氢气之混合气体。4.如申请专利范围第3项之不具芯片之突波吸收器,其中:密封于气室内之纯净乾燥气体具有5%或更低之相对湿度,且其净度为99.99%(0.5umDOP),其比经由过滤一般空气而获得之净度更高。5.如申请专利范围第1项或第2项之不具芯片之突波吸收器,其中:该具有球状或圆柱状之密封垫片,具有可插入导线端子之导线部份之内通孔。6.如申请专利范围第1项或第2项之不具芯片之突波吸收器,其中:导线端子是由杜梅(Dumet)线形成的。7.如申请专利范围第1项或第2项之不具芯片之突波吸收器,其中:导线端子是由合成导线形成的,而与密封垫片焊接在一起之部份则是由杜梅(Dumet)线组成的。图式简单说明:第一图系显示本发明之突波吸收器的基本结构图;第二图系显示本发明之突波吸收器的另一个最佳实施例;第三图系显示具有与第二图相类似结构之又一个最佳实施例。第四图系显示依据本发明在导线端子之尖端形成放电极之压制程序;第五图系显示第四图所显示之压制程序之详细说明,其显示在导线端子之尖端所形成之放电极;第六图系显示依据本发明之可插入共用壳体之具有各种直径之放电极;第七图A和第七图B系显示本发明之突波吸收器的组合程序;第八图A和第八图B系显示本发明之具有另一个形状之突波吸收器的组装程序;第九图系显示另一个实施例,其中突出的部份是放置在其中一放电极之上;第十图系显示在其中一放电极上之锥形突出件;第十一图系显示放置在二放电极表面之锥形突出件;第十二图系显示具有放置在此二电极上之锥形凹状的实施例;第十三图系显示本发明之具有不同形状放电极之实施例;第十四图系显示在此二放电极上具有弧形表面之实施例;第十五图系显示用于为导线端子之尖端定型之压铸模;第十六图系显示藉由第十五图所显示之压铸模所形成之放电极;第十七图系显示本发明之导线端子的另一个最佳实施例;第十八图系显示处于封包状态之本发明的突波吸收器;第十九图系显示提供给本发明之突波波形图;和第二十图系显示当本发明吸收第十九图所显示之突波电压时之状态特性图。 |
