| 主权项 |
1.一种铜内连线的制造方法,适用于形成有金属间介电层的半导体基底,上述制造方法包括下列步骤:选择性蚀刻上述金属间介电层,以形成双镶嵌结构或沟槽;沈积一铜金属层于上述双镶嵌结构或沟槽,上述铜金属层并延伸于上述金属间介电层表面;利用化学机械研磨法进行上述铜金属层的平坦化;以及在遮光的环境下利用化学溶液以清除杂质,而完成铜内连线的制作。2.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述金属间介电层系二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述金属间介电层系低介电常数材料层。4.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述化学溶液包括氢氟酸。5.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述化学溶液包括氢氧化铵。6.如申请专利范围第1项所述之铜内连线的制造方法,其中上述化学机械研磨法系在遮光的环境下进行。图式简单说明:第一图A-第一图B系习知技术对铜内连线进行化学机械研磨及清洗处理的制程剖面图。第二图A-第二图B系本发明实施例对铜内连线进行化学机械研磨及清洗处理的制程剖面图。 |
