插头制造方法

摘要

一种插头制造方法构制一层间绝缘薄膜于一Si基体上，并制造一接触孔于层间薄膜中，该方法能制造具有良好构形之小插头，减少浮渣，并简化插头制造程序。 Ti／TiN薄膜形状之一直接接触层构制于层间薄膜上，俾亦覆盖接触孔之底表面及侧壁。在沉积室中构制一W薄膜于整个表面上后，呈现强还原性质之ClF3气体供应至沉积室中，作为蚀刻气体，及W薄膜及直接接触层由蚀刻回处理使用ClF3气体之气体蚀刻法部份移去。结果，沉积于作为基部之直接接触层上之W接触插头形成于接触孔内。

主权项

1.一种插头制造方法,包括步骤:构制一开口于基体上之一绝缘薄膜中;构制一导电薄膜,以掩埋该开口;及由蚀刻回处理部份移去该导电薄膜,以维持导电薄膜于开口内,该蚀刻回处理由使用含有至少三氟化氯气体之一蚀刻气体执行。2.如申请专利范围第1项所述之插头制造方法,其中,该蚀刻回处理在一沉积室中执行,该室亦如此用以制造导电薄膜。3.如申请专利范围第1项所述之插头制造方法,其中,该导电薄膜为钨或多晶矽所制。4.如申请专利范围第1项所述之插头制造方法,其中,该导电薄膜由化学蒸气沉积法沉积制成。图式简单说明:第一图为断面图,用以说明制造接触插头之普通方法;第二图为断面图,用以说明制造接触插头之普通方法及其有关问题;第三图为断面图,用以说明制造接触插头之普通方法及其有关问题;第四图A及第四图B为断面图,用以说明依据本发明之第一实施例制造接触插头之方法;第五图A及第五图B为断面图,用以说明依据本发明之第一实施例制造接触插头之方法;第六图A及第六图B为断面图,用以说明依据本发明之第一实施例制造接触插头之方法;第七图A及第七图B为断面图,用以说明依据本发明之第二实施例制造接触插头之方法;及第八图为断面图,用以说明依据本发明之第二实施例制造接触插头之方法。