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1.一种利用一电脑来修改一光罩图案(photo maskpattern)的方法,该电脑包含有一记忆体用来储存该光罩图案及程式,以及一处理器用来执行储存于该记忆体内之程式,该光罩图案系用来制作一光罩,而该光罩则系用于一微影制程中,用来使一半导体晶片之一预定区域表面之光阻层形成一预定之原始图形,该光罩图案系由复数个方格所构成,每一方格包含有四个边线与四个顶点,每一顶点系位于二边线之交接处,每一方格可为一亮格或一暗格,且每一方格至少与另一方格共用一边线以及二顶点,该方法包含有下列步骤:依据一预定之光学接近效应(optic proximity effect)之检测条件来检测该光罩图案之每一共用之顶点以找出可能产生该光学接近效应之顶点,并于符合该条件之顶点处进行修改以消除该顶点处之光学接近效应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该光罩图案系为一方形之图案,而每一方格至少有二边线与相邻之另外二方格共用。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该检测条件系用来检测该光罩图案之每一个为四个方格所共用之顶点。4.如申请专利范围第3项之方法,其中于检测该光罩图案之每一个为四个方格所共用之顶点时,若该四个方格中仅有一方格为暗格时,则该顶点符合该检测条件,且该暗格于该顶点处会形成一外凸之暗角,而在修改该顶点处时,该顶点处会被设置一修正外凸暗角之修正图案以消除该外凸暗角所产生之光学接近效应。5.如申请专利范围第3项之方法,其中于检测该光罩图案之每一个为四个方格所共用之顶点时,若该四个方格中仅有一格为亮格时,则该顶点符合该检测条件,且该亮格于该顶点处会形成一外凸之亮角,而在修改该顶点处时,该顶点处会被设置一修正外凸亮角之修正图案以消除该外凸亮角所产生之光学接近效应。6.如申请专利范围第3项之方法,其中于检测该光罩图案之每一个为四个方格所共用之顶点时,若该四个方格中有二格为亮格二格为暗格,且两个暗格均无共用之边线时,则该顶点符合该检测条件,且该二暗格于该顶点处会形成二相对之暗角,而在修改该顶点处时,该顶点处会被设置一修正相对暗角之修正图案以消除该二相对之暗角所产生之光学接近效应。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片系用来制造一唯读记忆体(read-only memory, ROM),而该光罩图案则系用来制作该唯读记忆体之编码幕罩(code mask)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中每一方格系为正方形,且每一方格之宽度系为该光罩图案中之最小线宽的整数分之一。9.如申请专利范围第1项之方法,其中每一方格系为正方形,且每一方格之宽度系为该光罩图案中之最小线距的整数分之一。图式简单说明:第一图至第四图为习知利用一电脑来修改一光罩图案的方法的示意图。第五图至第十一图为本发明利用一电脑来修改一唯读记忆体之编码幕罩的光罩图案的方法的示意图。 |
