| 主权项 |
1.一种自动对准矽化金属的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上已形成有至少一电晶体,该电晶体包括位于该半导体基底上之一闸极、位于该闸极侧壁之一间隙壁、以及位于该闸极两侧之该半导体基底中之一源极/汲极区;形成一金属层于该半导体基底上;进行一第一快速热制程,使该金属层与该闸极以及该源极/汲极区反应生成一第一矽化金属层;去除剩余之该金属层;在该第一矽化金属层上形成一第二矽化金属层;以及进行一第二快速热制程,使该第一矽化金属层与该第二矽化金属层由一高电阻态转换到一低电阻态。2.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中形成该金属层的方法包括化学气相沈积法与物理气相沈积法其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该金属层之材质为钛。4.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该金属层之厚度约为50-150埃。5.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该第二矽化金属层之厚度约为300-900埃。6.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中形成该第二矽化金属层之方法包括选择性的上升式矽化金属之化学气相沈积法。7.如申请专利范围第6项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中选择性的上升式矽化金属之化学气相沈积法所用之反应气体包括氯化钛(TiCl4)与矽烷(SiH4)。8.如申请专利范围第7项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中氯化钛之流速约为3-10sccm。9.如申请专利范围第7项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中矽烷之流速约为3-10sccm。10.如申请专利范围第7项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中选择性的上升式矽化金属之化学气相沈积法进行之温度约为摄氏500-700度。11.如申请专利范围第1项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该第二快速热制程进行的温度范围约为摄氏825-875度。12.一种自动对准矽化金属的制造方法,适用至少具有一电晶体之一半导体基底上,该方法包括下列步骤:形成一金属层覆盖于该电晶体上;进行一第一热制程,形成一第一矽化金属覆盖该电晶体之闸极与源极/汲极区;以及选择性沈积一第二矽化金属层于该第一矽化金属层上。13.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中形成该金属层的方法包括化学气相沈积法与物理气相沈积法其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该金属层之材质为钛。15.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该金属层之厚度约为50-150埃。16.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中该第二矽化金属层之厚度约为300-900埃。17.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中形成第二矽化金属层所用之反应气体包括氯化钛(TiCl4)与矽烷(SiH4)。18.如申请专利范围第12项所述之自动对准矽化金属的制造方法,其中形成该第二矽化金属层之温度约为摄氏500-700度。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示依照本发明一较佳实施例的一种自动对准矽化金属的制作流程剖面图。 |
