| 主权项 |
1.一种用于加工一基材之装置,包含: 一加工室; 一可旋转之基材支承件,系位于加工室内且建构以 依一旋转轴线转动基材;及 一流体输送系统,系建构及设置以导送一加工流体 进入加工室,且可沿着一垂直于一平面之方向以对 于一或多项加工流体之特征变数做选择性控制。2 .如申请专利范围第1项之装置,其中流体输送系统 包含衆多流体注入器,以将加工流体导入加工室。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中流体输送系统 包含: 一第一流体注入器,系建构及设置以将加工流体导 入加工室,且定位一第一距离于一大致含有基材表 面之参考平面上方;及 一第二流体注入器,系建构及设置以将加工流体导 入加工室,且定位于参考平面上方一第二距离,其 大于第一距离。4.如申请专利范围第3项之装置,其 中第一流体注入器系建构及设置以自一第一位置 导入加工流体至加工室内,而第二流体注入器系建 构及设置以自一第二位置导入加工流体至加工室 内,第二位置沿一大致垂直于一平面之方向以间隔 于第一位置,该平面垂直于旋转轴线。5.如申请专 利范围第2项之装置,其中一或多枚流体注入器包 含一流体孔,其具有一长度。6.如申请专利范围第3 项之装置,其中一或多枚流体注入器包含一长孔状 流体孔。7.如申请专利范围第3项之装置,其中第一 流体注入器具有一含有一特征流动面积之第一流 体孔,及第二流体注入器具有一含有一不同特征流 动面积之第二流体孔。8.如申请专利范围第7项之 装置,其中第二流体孔之特征流动面积系大于第一 流体孔之特征流动面积。9.如申请专利范围第3项 之装置,进一步包含一第三流体注入器,系建构及 设置以导入流体至加工室内,且定位于参考平面上 方一段大于第二距离之第三距离。10.如申请专利 范围第9项之装置,其中第一流体注入器、第二流 体注入器、及第三流体注入器系沿一大致垂直于 一平面之方向呈间隔,该平面垂直于旋转轴线。11. 如申请专利范围第9项之装置,其中第一流体注入 器、第二流体注入器、及第三流体注入器具有各 别之流体孔,且各孔设有一不同之特征流动面积。 12.一种用于加工一基材之装置,包含: 一加工室; 一可旋转之基材支承件,系位于加工室内且建构以 依一旋转轴线转动基材;及 一流体输送系统,具有一第一流体注入器,系建构 及设置以自一第一位置导入一加工流体至加工室 内,一第二流体注入器,系设置以自一第二位置导 入一加工流体至加工室内,第二位置沿一大致垂直 于一平面之方向而间隔于第一位置,该平面垂直于 旋转轴线。13.一种用于加工一基材之装置,包含: 一加工室; 一可旋转之基材支承件,系位于加工室内且建构以 依一旋转轴线转动基材;及 一流体输送系统,具有一第一流体注入器,系建构 及设置以自一第一位置导入一加工流体至加工室 内,一第二流体注入器,系设置以自一第二位置导 入一加工流体至加工室内,第二位置沿一大致垂直 于一平面之方向而间隔于第一位置,该平面垂直于 旋转轴线;其中第一与第二流体注入器具有各别之 输出端,其特征为沿着平行于平面之各别线上具有 各别之长度,该平面即垂直于旋转轴线者,第二流 体注入器之长度系大于第一流体注入器之长度。 14.一种用于加工一基材之装置,包含: 一加工室; 一可旋转之基材支承件,系位于加工室内且建构以 依一旋转轴线转动基材;及 一流体输送系统,具有一第一流体注入器,系建构 及设置以自一第一位置导入一加工流体至加工室 内,一第二流体注入器,系设置以自一第二位置导 入一加工流体至加工室内,第二位置沿一大致垂直 于一平面之方向而间隔于第一位置,该平面垂直于 旋转轴线;其中第一与第二流体注入器具有各别之 输出端,其特征为沿着垂直于平面之各别线上具有 各别之宽度,该平即垂直于旋转轴线者,第二流体 注入器之宽度系大于第一流体注入器之宽度。15. 一种用于加工一基材之装置,包含: 一加工室; 一可旋转之基材支承件,系位于加工室内且建构以 依一旋转轴线转动基材;及 一流体输送系统,具有一第一流体注入器,系定位 于一大致含有基材表面之参考平面上方一第一距 离处,及衆多之其他流体注入器,各定位于参考平 面上方一段大于第一距离之第二距离处。16.一种 加工一基材之方法,包含: 相关于一旋转轴线而在一加工室内转动一基材; 将一加工流体导入加工室;及 沿着一大致垂直于一平面之方面而选择性控制一 或多项加工流体特征变数,该平面系垂直于旋转轴 线。17.如申请专利范围第16项之方法,其中加工气 体之特征变数系由以下步骤做选择性控制: 自一位置导入一第一加工流体至加工室内,该位置 间隔于一大致含有基材表面之参考平面上方有一 第一距离;及 自一位置导入一第二加工流体至加工室内,该位置 间隔于参考平面上方有一第二距,且其大于第一距 离。18.如申请专利范围第17项之方法,其中第二加 工流体系自一位置导入加工室,该位置系相隔于第 一加工流体沿一方向导入加工室之位置,该方向大 致垂直于一与旋转轴线垂直之平面。19.如申请专 利范围第17项之方法,其中第一加工气体具有大致 相同于第二加工流体者之成份。20.如申请专利范 围第17项之方法,其中第一加工气体具有一不相同 于第二加工流体者之成份。21.如申请专利范围第 17项之方法,其中第一加工流体包含一反应物浓度 及第二加工流体包含一相同反应物之较大浓度。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中第一加工流 体包含一稀释物。23.如申请专利范围第17项之方 法,其中第二加工流体包含一反应物及第一加工流 体大致无任意之反应物。24.如申请专利范围第17 项之方法,其中第一加工流体及第二加工流体系以 基材旋转时一基材周缘区域相关于一圆弧移行之 速度之0.01与100倍之间之流率导入。25.如申请专利 范围第17项之方法,其中基材系以50至240rpm速率旋 转。26.如申请专利范围第17项之方法,其中第一加 工流体及第二加工流体系以0.15与15米/秒之间流速 导入加工室。27.如申请专利范围第17项之方法,其 中第一加工流体及第二加工流体系以0.4与8米/秒 之间流速导入加工室。图式简单说明: 第一图系一基材加工系统之侧视截面图。 第二图系一加工气体流过一基材表面上方之示意 图。 第三图系一加工气体自三数流体注入器注入一含 有一旋转基材之加工室之示意图。 第四图A系一流线之项面示意图,说明一加工气体 自一基材表面上方不同距离处之一流体注入器导 入一加工室内。 第四图B系一流线之项面示意图,说明一加工气体 自一基材表面上方相同距离且不同水平位置处之 流体注入器导入一加工室内。 第五图A系一流体输送系统之示意图。 第五图B系沿5B-5B线所取用于第五图A流体输送系统 之一块状扩散器截面侧视图。 第五图C系用于定义第五图A流体输送系统所用流 体注入器之块状扩散器前视示意图。 第六图A-第六图C系定义不同流体注入器之面板前 视示意图。 第七图系一膜厚度图表,其以第六图C之流体注入 器将一气体导入一加工室,而二膜曝露于气体而生 长,表示通过一基材表面之径向位置函数。 |
