| 主权项 |
1.一种制备矽熔液之方法,其系依Czochralski法培养 一单晶矽锭,该矽溶液系于一坩埚中制备,其具有 一底部、一侧壁、一大致平行侧壁并交会底部几 何中点之中心线、及一由中心线往侧壁延伸之半 径,该方法包括: 将块状多晶矽负荷进入该坩埚内,以形成一具有碗 形之料,其中该负荷概括由中心线往侧壁径向往上 并往外倾斜到一顶点,并接着由该顶点朝侧壁概括 往下并往外倾斜; 对碗形块状多晶矽料加热,以形成一部份熔解料; 将粒状多晶矽进给到该碗形部份熔解料上,以形成 一混合料之粒状及块状多晶矽;及 将混合多晶矽料加热,以形成一矽熔液。2.一种于 坩埚中制备矽熔液之方法,其系依Czochralski法培养 一单晶矽锭,该矽熔液于坩埚中制备,其具有一底 部、一侧壁、一大致平行侧壁并交会底部几何中 点之中心线、及一由中心线往侧壁延伸之半径,该 方法包括: 将块状多晶矽负荷进入一坩埚内; 对该块状多晶矽料加热,以形成一包括具有上表面 ,及暴露于矽熔液上表面上方的未熔多晶矽块之矽 熔液其部份熔解料; 将粒状多晶矽进给到该暴露未熔多晶矽块上,以形 成一混合多晶矽料,一部分之粒状多晶矽穿过未熔 多晶矽块其间之空间,直到粒状多晶矽接触矽熔液 为止;及 将混合多晶矽料加热,以形成一矽熔液,该未熔之 多晶矽块暴露于矽熔液上表面之上方,其作用使当 粒状多晶矽接触矽熔液并熔化时,由氢逸出造成矽 熔液之喷溅受到挠曲。3.根据申请专利范围第2项 之方法,其中在添加粒状多晶矽之前,形成该部份 熔解料,以防止单晶矽锭中形成空隙之缺陷。4.根 据申请专利范围第2项之方法,其中藉由熔解块状 多晶矽总重量之6到8百分比,形成该部分熔解料。5 .根据申请专利范围第2项之方法,其中该块状多晶 矽负荷进入坩埚内,以形成一具有碗形之料,其中 该负荷概括由中心线往侧壁径向往上并往外倾斜 到一顶点,并接着由该顶点往侧壁概括往下并往外 倾斜。6.根据申请专利范围第1或5项之方法,其中 该粒状多晶矽于接近中心线处,进给至该碗形部份 熔解料上。7.根据申请专利范围第1或5项之方法, 其中该碗形块状多晶矽料在侧壁上,当混合多晶矽 料熔解之后,具有一不大于矽熔液高度之高度。8. 根据申请专利范围第1或5项之方法,其中该顶点概 括形成一碗形块状多晶矽料之环状轮网。9.根据 申请专利范围第8项之方法,其中该环状轮网具有 一半径,当由中心线往坩埚侧壁径向往外测量时, 为坩埚半径之6/10到8/10范围内。10.根据申请专利 范围第8项之方法,其中该环状轮网具有一高度,当 由坩埚底部测量时,为22公分到25公分范围内。11. 根据申请专利范围第8项之方法,其中该环状轮网 高度对于接近中心线处该料高度之比値为3:1到2.5: 1范围内。12.一种于坩埚中制备矽熔液之方法,其 系依Czochralski法培养一单晶矽锭,该矽熔液系于一 坩埚中制备,其具有一顶部及一底部、一大致平行 侧壁并交会底部几何中点之中心线、及一由中心 线往侧壁延伸之半径,该方法包括: 将块状多晶矽负荷进入该坩埚内; 对该块状多晶矽料加热,以形成一包括具有上表面 及暴露于矽熔液上表面上方的未熔多晶矽块之矽 熔液其部份熔解料; 将粒状多晶矽进给到该暴露未熔多晶矽块上,以形 成一混合多晶矽料,该粒状多晶矽累积于混合多晶 矽料顶部上,并形成一粒状多晶矽帽形物;及 将该混合多晶矽料熔解,以形成一矽熔液。13.根据 申请专利范围第12项之方法,其中当粒状多晶矽完 成进给之后,该粒状多晶矽帽形物概括接触侧壁顶 部。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中该粒 状多晶矽帽形物出现在矽熔液上表面上方,且其作 用为当粒状多晶矽接触矽熔液并熔解时,使得由氢 气逸出造成之矽熔液喷溅受到挠曲。15.根据申请 专利范围第12项之方法,其中该混合多晶矽料以在 完成添加粒状多晶矽75至105分钟后,使粒状多晶矽 帽形物得以进入矽熔液之速率熔解。16.根据申请 专利范围第12项之方法,其中包括粒状多晶矽帽形 物之该粒状多晶矽,得以在接触矽熔液表面之前进 行脱氢。图式简单说明: 第一图为一空Czochralski坩埚之剖视图。 第二图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示块状 多晶矽之一初始料。 第三图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示排列 块状多晶矽以形成一碗形料。 第四图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示一部 分熔解料之构造。 第五图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示加入 粒状多晶矽之初始步骤。 第六图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示连续 添加粒状多晶矽及粒状多晶矽穿过多晶矽块其间 存在之空间。 第七图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示当粒 状多晶矽继续加入且多晶矽块间之空间充满时,一 粒状多晶矽帽形物之构造。 第八图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示粒状 多晶矽完成添加,及粒状多晶矽帽形物之构造。 第九图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示粒状 及块状多晶矽之连续熔解。 第十图为一Czochralski坩埚之剖视图,其中显示粒状 多晶矽帽形物进入该矽熔液。 |
