| 摘要 |
本发明之在提供可将数位资料变换为类比资料, 记忆在记忆体, 能在实质上使记忆体之储存容量增加之资讯记忆装置。D/A变换部12, 可将复数位元(bit)之数位资料变换为离散性之类比资料。记忆体18可写入或读出类比资料, 将复数位元之数位资料, 变换为离散性之类比资料, 记忆在1 个记忆单体(memory cell)。自记忆体18读出之类比资料,则利用A/D变换部24, 将其变换成规定位元数之数位资料。而藉由此结构, 可令记忆体之记忆容量, 在实质上大为增加。 |
| 主权项 |
1.一种资讯记忆装置,具备有执行类比资料其写入 及读出工作之记忆体之资讯记忆装置,此装置具备 有: 可将规定位元数之数位资料,变换为离散性类比资 料之数位类比变换机构; 将前述类比资料加以记忆之记忆体; 将自前述记忆体读出之类比资料,再变换为规定位 元数之数位资料之类比数位变换机构;以及 可限制针对前述记忆体所进行之写入动作之写入 限制机构,其中, 前述记忆体被分割成读写区及写入限制区,而前述 写入限制机构则限制针对前述写入限制区之前述 类比资料之写入动作为其特征者。2.如申请专利 范围第1项记载之资讯记忆装置, 前述记忆体为可藉由限制注入于浮游闸极之电荷 量而记忆类比资料之不挥发性记忆体, 在前述不挥发性记忆体设置读写区及写入限制区, 藉以设成利用单一记忆体即可发挥,仅读式记忆体 及读写记忆体两者之功能之构成为其特征者。3. 如申请专利范围第1项或第2项记载之资讯记忆装 置,其中, 前述写入限制机构可控制前述写入限制区之大小 或位置为其特征者。4.如申请专利范围第1项或第2 项记载之资讯记忆装置,其中,前述数位类比变换 机构可将规定位元数之数位资料分配成,依据位元 数分割之离散性电压値,以制作类比资料为其特征 者。5.一种资讯记忆装置,具备有执行类比资料之 写入及读出工作之记忆体之资讯记忆装置,此装置 具备有: 可将所输入之类比资料变换为数位资料之第1类比 数位变换机构; 将前述经过变换之数位资料加以压缩之压缩机构; 将前述经过压缩之规定位元数之数位资料变换成 离散性类比资料之第1数位类比变换机构; 将前述经过变换之类比资料加以记忆之记忆体; 将自前述记忆体读出之类比资料,再变换成规定位 元数之压缩数位资料之第2类比数位变换机构; 将前述经过变换之压缩数位资料加以扩展之扩展 机构;以及 将前述经过扩展之数位资料再变换成类比资料之 第2数位类比变换机构为其特征者。6.如申请专利 范围第1项记载之资讯记忆装置, 具备有可限制针对前述记忆体所进行之写入动作 之写入限制机构, 前述记忆体被分割成读写区及写入限制区,而前述 写入限制机构则限制针对前述写入限制区之前述 类比资料之写入动作为其特征者。图式简单说明: 第一图系提示本发明之实施例之资讯记忆装置之 概略构成图。 第二图系提示将数位资料变换为离散性类比资料 之方法之图。 |
