| 发明名称 | 电子束写入方法、电子束刻蚀设备及其所用掩模 | ||
| 摘要 | 电子束刻蚀设备包括电子束源(31)和晶片载台(38),以及固定在晶片载台(38)上可以水平移动的掩模(2),电子束通过掩模到达晶片。在掩模具有的各区域中形成分割图形,根据区域的密度划分要刻写的图形得到分割图形。电子束刻蚀设备进一步包括控制器(37),其根据区域的密度为各区域至少控制掩模(2)和晶片载台(38)之一的速度。电子束刻蚀设备使得能够补偿掩模各区域中的邻近效应,保证以高精度刻写微型晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1290960A | 申请公布日期 | 2001.04.11 |
| 申请号 | CN00129733.3 | 申请日期 | 2000.10.08 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 中岛谦 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1．一种电子束写入方法，包括如下步骤：a)制备掩模，在其各个区域中形成分割图形，所述分割图形通过根据区域密度划分所刻写的图形获得；b)电子束通过所述掩模照射到晶片上，以通过所述掩模的各所述区域提供不同的电子束照射量。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||