| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 借助于用溅射法形成的铝层构成半导体装置的凸状端子,使其高度比别的部位充分地高,而且,用透明导电膜等的防止氧化的导电膜覆盖其最为突出的端面。 | ||
| 申请公布号 | CN1291348A | 申请公布日期 | 2001.04.11 |
| 申请号 | CN99803194.1 | 申请日期 | 1999.02.25 |
| 申请人 | 时至准钟表股份有限公司 | 发明人 | 矢野敬和;诸川滋;增田崇臣;渡边真;菊地正义 |
| 分类号 | H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1．一种在已形成了集成电路的半导体芯片的表面上，具备用来向该集成电路输入输出电源或信号的凸状端子的半导体装置，其特征是：该凸状端子，由至少其最上部用溅射法形成，且与集成电路电连接的导体构成，其最为突出的端面自上述半导体芯片的表面的高度，比别的任何部位的突出面都高，该凸状端子的上述端面被防止表面氧化的导电膜覆盖起来。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||