发明名称 有机抗反射聚合物及其制备方法
摘要 本发明涉及适用于采用193nm ArF辐射线的亚微平版印刷方法中的半导体器件的抗反射涂料用聚合物,抗反射涂料组合物,及其制备方法。所述聚合物含有在193nm波长处具有高吸收的苯基侧基。当本发明的抗反射涂料用于形成超细图案时,消除了在晶片下层的光学性质及其上的光敏薄膜厚度的改变而引起的驻波,也可防止光从下层衍射及反射而引起临界尺寸变化。本发明的抗反射涂料可稳定地生成适用于半导体器件的超细图案,且产率大大提高。
申请公布号 CN1290712A 申请公布日期 2001.04.11
申请号 CN00107857.7 申请日期 2000.06.26
申请人 现代电子产业株式会社 发明人 洪圣恩;郑旼镐;白基镐
分类号 C08F220/10;C09D133/08;H01L31/036 主分类号 C08F220/10
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 甘玲
主权项 1、一种含有由下述通式3表示的单体的聚合物:<img file="00107857000220.GIF" wi="521" he="553" />其中,R是氢或甲基;且n为2或3。
地址 韩国京畿道