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发明名称 Plasma etching process
摘要
申请公布号 US4886569(A) 申请公布日期 1989.12.12
申请号 US19890313377 申请日期 1989.02.21
申请人 STC PLC 发明人 OJHA, SURESHCHANDRA M.;JENNINGS, STEPHEN R.;JOHNSTON, ANTHONY D.
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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