光敏器件和具有内电路系统的光敏器件

摘要

一种光敏器件包括:依次形成的第一导电类型的半导体基底;与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层;第二导电类型的半导体层;和第一导电类型的扩散层,扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个半导体区域。用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的。当向至少一个发电二极管部分施加反向偏压时,其中第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0.3V/μm或更多。

主权项

权 利 要 求 书1．一种光敏器件包括：第一导电类型的半导体基底；在半导体基底上形成且与半导体基底相比具有较低杂质浓度的第一导电类型的半导体层；在第一导电类型的半导体层上形成的第二导电类型的半导体层；和至少一个由第二导电类型的半导体层的表面形成的第一导电类型的扩散层，以便于达到第一导电类型的半导体层的表面，这至少一个的扩散层将第二导电类型的半导体层分成多个第二导电类型的半导体区域，其中用于将光信号转化成电信号的光电二极管的至少一部分是在多个第二导电类型的半导体区域中的至少一个和第一导电类型的半导体层之间的结合处形成的，以及其中当向该至少一个光电二极管部分施加反向偏压时，在第一导电类型的半导体层中形成的耗尽层的场强是约0．3V／μm或更多。