发明名称 |
SEMICONDUCTOR SENSOR |
摘要 |
L'invention concerne les capteurs à semi-conducteurs à effet de champ. Le capteur selon l'invention comprend un oscillateur en anneau (3) formé à partir d'un nombre impair d'inverseurs CMOS et disposé dans une zone sensible (2) à la grandeur physique que l'on désire mesurer. Afin d'augmenter la sensibilité du capteur , on dispose pour chaque inverseur CMOS le canal n du transistor NMOS perpendiculairement au canal p du transistor PMOS.</SDOAB >
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申请公布号 |
CA2067180(C) |
申请公布日期 |
2001.04.10 |
申请号 |
CA19902067180 |
申请日期 |
1990.10.15 |
申请人 |
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发明人 |
MOSSER, VINCENT;SUSKI, JAN |
分类号 |
H01L27/20;G01L9/00;H01L;(IPC1-7):H01L27/20;H01L27/085 |
主分类号 |
H01L27/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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