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Le procédé comprend la formation par épitaxie sélective sur la surface de la région centrale active d'un substrat d'une couche de germanium ou alliage SiGe, la formation par épitaxie non sélective sur la couche de germanium ou d'alliage SiGe et sur la surface du substrat d'une couche de silicium, la gravure des couches pour former sur la région centrale active un empilement ayant deux flancs opposés laissant apparaître la couche de germanium ou d'alliage SiGe, l'élimination sélective du germanium ou de l'alliage SiGe pour former un tunnel, la formation d'une mince couche diélectrique sur les flancs et les surfaces extérieure et intérieure du tunnel et de la région centrale active du substrat, le dépôt d'un matériau conducteur recouvrant et comblant le tunnel et la gravure du matériau conducteur pour former une région de grille d'architecture enveloppante. Application aux transistors.
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