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<p>L'invention concerne une mémoire non volatile dans laquelle on réduit les courants de fuite pour améliorer les caractéristiques de la mémoire. Cette mémoire comprend des transistors à effet de champ de structure MFMIS, avec une couche métallique (M) et une couche d'isolation (I) tenant lieu de couches tampon dans une interface entre la couche ferroélectrique et la couche de semiconducteur. En outre, une couche tenant lieu de barrière d'isolation est formée entre la grille flottante ou la grille de commande et la couche ferroélectrique.</p> |
