THYRISTOR WITH RECOVERY TIME VOLTAGE SURGE RESISTANCE

摘要

Vorzugsweise asymmetrischer Thyristor (1) mit wenigstens einer Treiberstufe (20) zum Verstärken eines in die kathodenseitige Basis (16) des Thyristors eingespeisten Steuerstromes (I), bei dem in der Treiberstufe die Transistorverstärkungsfaktoren alpha npn und alpha pnp jeweils grösser als im vorzugsweise Thyristor sind und Anodenkurzschlüsse des Thyristors (174) in der Treiberstufe eine kleinere elektrische Leitfähigkeit als im Thyristor aufweisen.