带差分电路的半导体集成电路

摘要

形成差分电路的元件对的，作为绝缘层分立元件的电容器Ｃ１和Ｃ２有公共独立Ｎ阱，与连接到电源ＶＤＤ的Ｎ阱无关。由于独立Ｎ阱是浮动态，即使因ＣＭＯＳ等开关时产生高电平尖峰噪声叠加到电源ＶＤＤ上，高电平尖峰哚声也不直接输入独立Ｎ阱，使独立Ｎ阱的偏置电位波动小而有节制。因此，使因独立Ｎ中阻抗电阻引起的电位差明显减小。$＃!

主权项

1．一种半导体器件，其特征在于，它包括：一个衬底，具有第一阱和第二阱，彼此独立形成，两阱的导电率相同，都是预定的；一个第一输入端；一个第二输入端；一个输出端；一个差动放大器，与所述输出端连接，具有第一输入节点和第二输入节点，所述差动放大器的一个元件在所述第一阱中形成；一个第一电容器，连接在所述第一输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成；和一个第二电容器，连接在所述第二输入端与所述第二输入节点之间，在所述第二阱中形成。