化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置

摘要

为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。

主权项

1．一种CVD装置，其中，向设置基片的反应室(112)内供给半导体材料气体，在所述基片上形成半导体膜，其特征在于，在所述反应室(112)中，连接供给所述半导体材料气体的材料气体供给路径(121)与供给净化使用的惰性气体的惰性气体供给路径(122)及供给在净化气体中混合的氢、氦等热传导系数高的气体的高热传导系数气体供给路径(123)，同时设有测定从反应室(112)排出的气体中的水分量的水分计(141)和用于对反应室内进行真空排气的真空泵(143)。