包括连接横向RF MOS器件的源区与背侧的插头的类网状栅结构

摘要

揭示了一种用于RF MOS晶体管的类网状栅结构(80),它具有导电插头源－体－背侧连接。此连接结构使用导电插头(82)来连接该器件的源区和体区与背侧(96)。与在已有技术的RF MOS器件中使用长的馈送栅极路径相比,具有类网状栅结构的RF MOS晶体管利用的馈送栅极路径明显较短。具有类网状栅结构的RF MOS晶体管可利用多晶硅栅极或硅化栅极(86),这导致简化了制造工艺和/或提高了高频时的性能。

主权项

1．一种具有插头连接结构的横向RF MOS晶体管，包括：第一导电类型的半导体材料，所述半导体材料具有第一杂质浓度和上表面；叠置在所述半导体材料的所述上表面上并与其绝缘的导电栅；在整个所述第一导电类型的所述半导体材料的内部形成的第一区域，所述第一区域为第二导电类型且具有第二杂质浓度，以形成所述RF MOS晶体管结构的增强漏漂移区；在所述半导体材料内形成的第二区域，所述第二区域为所述第二导电类型且具有比所述第二杂质浓度大的第三杂质浓度，以形成所述RF MOS晶体管的漏区，所述第二区域与所述第一区域接触；在所述半导体材料中形成的第三区域，所述第三区域为所述第一导电类型且具有第四杂质浓度，以形成所述RF MOS晶体管结构的体区，所述第四杂质浓度等于或大于所述第一杂质浓度，所述第三区域具有位于所述导电栅下面的第一末端，所述栅极下面的所述半导体材料的任何其余部分为所述第一导电类型；在所述半导体材料中形成的第四区域，所述第四区域为所述第二导电类型且具有第五杂质浓度，以形成所述RF MOS晶体管结构的源区，所述第四区域位于所述第三区域内；在所述半导体材料中形成的第五区域，所述第五区域为所述第一导电类型且具有第六杂质浓度，以形成所述RF MOS晶体管结构的接触增强区，所述第六杂质浓度大于所述第三区域的第四杂质浓度，所述第五区域位于所述第三区域中；以及在所述半导体材料的所述源区和所述体区中形成的导电插头区。