半导体激光器件及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Al_x1Ga_1－x1As构成,第1电流阻档层由Al_x2Ga_1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。

主权项

1．一种半导体激光器件，它依次包括：基片；第1导电型包层；发光层；作为Ⅲ族元素含有Al且形成脊部的第2导电型包层；形成在所述第2导电型包层上的所述脊部周围、作为Ⅲ族元素含有Al的电流阻档层；其特征在于，所述脊部侧面相对于所述基片上表面的倾斜角度θ为70°以上、117°以下；设构成所述第2导电型包层的Ⅲ族元素中的Al组成比为X1，构成所述电流阻档层的Ⅲ族元素中的Al的组成比为X2，所述发光层与所述电流阻档层间的距离为t，则该距离t满足下述关系：t≤0．275／(1-(X2-X1))μm；所述脊部的下部宽度W为2μm以上、5μm以下。