发明名称 | 一种全金属低温MEMS真空封装技术 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于低温真空封焊的微机电系统(Micro-Electronic-Mechanic System以下简称MEMS)的真空封装外壳的设计以及相应的封装工艺。它结合了微电子技术与真空电子技术的技术特长,对传统混合集成电路所用的金属管壳进行了局部的改进,开发出低成本的MEMS真空封装管壳,并且相应地革新了低温钎焊工艺和吸气剂激活工艺流程,从而实现了简便实用的MEMS真空封装,可广泛应用于微陀螺等MEMS的封装。 | ||
申请公布号 | CN1289659A | 申请公布日期 | 2001.04.04 |
申请号 | CN00124752.2 | 申请日期 | 2000.09.15 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 金玉丰;武国英;王阳元 |
分类号 | B23K3/00;H01L21/98 | 主分类号 | B23K3/00 |
代理机构 | 北京大学专利事务所 | 代理人 | 余长江 |
主权项 | 1、一种用于低温真空封焊的MEMS真空封装外壳的设计,其特征在于:管座采用传统混合集成电路的金属封装外壳,外型为矩形或圆形;管帽采用同种金属材料,具有安置低温吸气剂的结构和容纳低温焊料的密封槽。 | ||
地址 | 100871北京市海淀区中关村北京大学 |