| 发明名称 | 一种制备半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备半导体衬底的方法,其是在一抛光的硅片内注入氢离子,在另一基片上生长二氧化硅/硅布拉格反射器或单层二氧化硅;将硅片和基片表面涂布一层硅基乳胶,将它们粘接在一起;在400—600℃氮气氛下退火5—60分钟,硅片上较厚的硅层自注入氢射程处剥离,留下一层适合于外延的单晶层粘结在布拉格反射镜或单层二氧化硅表面上;在800℃－1200℃下退火1小时以上,形成带有二氧化硅/硅布拉格反射镜的SOR衬底或SOI衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1290028A | 申请公布日期 | 2001.04.04 |
| 申请号 | CN99119469.1 | 申请日期 | 1999.09.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨沁清;李成;欧海燕;王红杰;王启明 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种制备半导体衬底的方法，其特征在于：在一抛光的硅片内注入剂量为5×1016-1×1017cm-2的氢离子，在另一基片上生长二氧化硅／硅布拉格反射器；然后将硅片和基片表面均匀涂布一层用溶胶-凝胶法制备的硅基乳胶，将它们面对面粘接在一起；在400℃～600℃氮气氛下退火5-60分钟，硅片上较厚的硅层自注入氢射程处剥离，留下一层适合于外延的单晶层粘结在布拉格反射镜或单层二氧化硅表面上；然后在800℃-1200℃下退火1小时以上，形成带有二氧化硅／硅布拉格反射镜的隐埋光反射器的硅衬底或隐埋绝缘层的硅衬底。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||