| 主权项 |
1.一种保护浮置井的方法,包括:提供具第一导电型之一基底,该基底内包括具第二导电型之一浮置井;在该基底中形成具第一导电型之一第一重掺杂区;在该浮置井中形成具有第二导电型之一第二重掺杂区;在该基底上形成一第一层间介电层,覆盖了该基底及该浮置井,且在该层间介电质层中至少包括两个接触插塞,分别耦接该第一及该第二重掺杂区;在该第一层间介电层中形成一第一金属层,连通该两个接触插塞,以电性连接该第一及该第二重掺杂区;定义该第一层间介电层,以曝露出部分的该第一金属层;形成并定义一第二层间介电质层,以在其中形成复数个大小不同之开口,其中,一个较大的开口曝露出该第一金属层;形成一黏着层,覆盖住该些开口及该第二层间介电质层之表面;在该黏着层上形成一第二金属层,并定义该第二金属层;以及实施一过度蚀刻,去除在该较大开口内之黏着层,并且去除在该较大开口底部之部分的第一金属层,使得该第一及该第二重掺杂区呈断路状态。2.如申请专利范围第1项所述之保护浮置井的方法,其中更包括了在第二金属层上,以及该较大开口内形成一保护层。3.如申请专利范围第1项所述之保护浮置井的方法,其中该第一导电型为P型,而该第二导电型为N型。4.如申请专利范围第1项所述之保护浮置井的方法,其中该第一导电型为N型,而该第一导电型为P型。5.如申请专利范围第1项所述之保护浮置井的方法,其中该黏着层包括一钨层。6.一种保护浮置井的方法,包括提供一具第一导电型之一基底,其中包括了具一第二导电型之一浮置井,且在该第一导电型之基底中,包括了一个具第一导电型之一第一重掺杂区,以及在该浮置井中,包括了一个具第二导电型之一第二掺杂区;形成一层间介电层,覆盖在该基底及该浮置井上;在该介电层中形成一电性连接该第一及该第二重掺杂区之一电性连接结构;形成该基底上之一多重内连线,并于该多重内连线之一顶端金属层定义出图案之后,进行一过度蚀刻,使该电性连接结构呈断路状态。7.如申请专利范围第6项所述之保护浮置井的方法,其中更包括了在第二金属层上,以及该较大开口内形成一保护层。8.如申请专利范围第6项所述之保护浮置井的方法,其中该第一导电型为P型,而该第二导电型为N型。9.如申请专利范围第6项所述之保护浮置井的方法,其中该第一导电型为N型,而该第一导电型为P型。10.一种浮置井之保护结构,包括:一基底,具第一导电型;一浮置井,具第二导电型且形成于该基底中;一第一重掺杂区,形成于该基底中而不与该浮置井物理连接,且该第一重掺杂区具第一导电型;一第二重掺杂区,形成于该浮置井中,且具第二导电型;一层间介电质层,在该基底及该浮置井上;至少两个接触插塞,耦接至该第一及该第二重掺杂区;一底部金属层,电性连接至该第两个插塞;以及一多重金属层内连线,在该层间介电质层上方;其中,该金属内连线包括一顶端金属层,在该顶端金属层定义出图案时,该底部金属层分成彼此隔离的两段。11.如申请专利范第10项所述之浮置井之保护结构,其中该第一导电型为P型,而该第二导电型为N型。12.如申请专利范第10项所述之浮置井之保护结构,其中该第一导电型为N型,而该第一导电型为P型。图式简单说明:第一图A至第一图G绘示出本发明之一实施例中,保护N井使其避免受电浆侵害的方法及结构。第二图绘示出第一图A至第一图G中,保护N井之结构的上视图。 |
