PONO结构

摘要

一种PONO结构，首先提供一半导体基底，然后在其上依序形成第一介电层、氮化矽层、第二介电层以及多晶矽层。其中本发明以氮化矽层取代原先氧化层，可以使得量测的灵敏度维持不变，但有较高的崩溃电压，使得量测启始电压范围较大)。此外为防止直接以氮化矽层连接半导体基底与多晶矽层，会有应力产生，所以在上述之间仍以氧化层隔离。

主权项

1.一种PONO结构,用以保持量测的灵敏度与范围,该PONO结构包括:一半导体基底;一第一介电层,形成于该半导体基底上;一氮化矽层,形成于该第一介电层上;一第二介电层,形成于该氮化矽层上;以及一多晶矽层,形成于该第二接电层。2.如申请专利范围第1项所述之PONO结构,其中该第一介电层为一氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之PONO结构,其中该氧化层系用以防止该半导体基底与该氮化矽层直接连接所产生一应力。4.如申请专利范围第1项所述之PONO结构,其中该第二介电层为一氧化层。5.如申请专利范围第4项所述之PONO结构,其中该氧化层系用以防止该多晶矽与该氮化矽层直接连接所产生一应力。6.如申请专利范围第1项所述之PONO结构,其中该氮化矽具有较高之一崩溃电压。7.如申请专利范围第1项所述之PONO结构,其中该半导体基底系为一矽基底。图式简单说明:第一图绘示应力电压对Vth的影响图形;第二图所绘示天线尺寸设计图形;第三图绘示习知之MOS结构;以及第四图绘示依照本发明一较佳实施例的图。