| 主权项 |
1.一种制造一增强之吸附性颗粒的方法,其包含将非不定形、非陶瓷、结晶性、多孔、经锻烧的氧化铝颗粒与一具有稀浓度之酸相接触一段足够提高该颗粒之吸附性质的时间,该氧化铝颗粒系藉由在400℃–700℃温度下锻烧所生成的,其中该酸之浓度及接触时间系可提供一与该颗粒之酸接触作用,该接触作用系超过清洗表面作用,但小于侵蚀该颗粒的作用,且其中所产生的经酸处理之铝氧化物其后不再进行锻烧或再锻烧。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸包括乙酸,硝酸,硫酸,氢氯酸,硼酸,甲酸或磷酸或其等混合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸包括乙酸。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该接触作用系藉由将该颗粒浸泡或浸没于酸中进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括清洗该颗粒以去除过量酸之步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包括乾燥该颗粒之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该接触至少15分钟。8.一种制造一增强之吸附性颗粒的方法,其包含将非不定形、非陶瓷、结晶性、多孔、经锻烧的氧化物吸收性颗粒与一具有稀浓度之酸相接触一段足够提高该颗粒之吸附性质的时间,其中该酸之浓度及接触时间系可提供一与该颗粒之酸接触作用,该接触作用系超过清洗表面作用,但小于侵蚀该颗粒的作用,且其中所产生的经酸处理之氧化物其后不再进行锻烧或再锻烧,其中该氧化物吸收性颗粒并非为氧化铝。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该氧化物吸附性颗粒为二氧化矽,氧化锰,氧化铜,五氧化钒,氧化锆,氧化铁或二氧化钛。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该吸附性颗粒通过铅之EPA TCLP测试。11.一种降低或去除在一液体流或气体流内污染物数量之方法,其包括将以申请专利范围第1项之方法制得之颗粒与该液体流接触一段足够降低源自液体流或气体流污染物的含量或足够去除该污染物之时间。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该流为液体。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该流为气体。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该污染物为铅,磷酸盐,硒或锌。15.一种吸附剂组合物、触媒组合物或吸附剂及触媒组合物,其包括由如申请专利范围第1项之方法制造的氧化铝颗粒。16.如申请专利范围第15项之组合物,其进一步包括一第二氧化物吸附性颗粒。17.如申请专利范围第16项之组合物,其进一步包括氧化铝凝胶黏结剂。18.如申请专利范围第15项之组合物,其进一步包括二氧化矽、氧化锰、氧化铜、五氧化钒、氧化锆、氧化铁或二氧化钛。19.如申请专利范围第15项之组合物,其进一步包括氧化铜及氧化锰。20.如申请专利范围第19项之组合物,其中该组合物包括50-98份该经增强的氧化铝,1-49份氧化铜,1-49份氧化锰。21.如申请专利范围第19项之组合物,其中该组合物可通过三氯乙烯的EPA TCLP试验。22.如申请专利范围第19项之组合物,其中该氧化铜为CuO及该氧化锰为Mn2O3。23.一种降低或去除在一液体流或气体流内污染物数量之方法,其包括将如申请专利范围第19项之组合物与该液体流或气体流接触一段足够降低源自液体流或气体流污染物的含量或足够去除该污染物之时间。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该有机污染物为三氯乙烯。25.如申请专利范围第23项之方法,其中该减少或去除系藉触媒降解方法进行的。26.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸之稀浓度等于一具有小于或等于0.5重量%之乙酸水溶液者。27.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸之稀浓度等于一具有小于或等于0.1重量%之乙酸水溶液者。28.如申请专利范围第1项之方法,其中该锻烧后之氧化铝为、–或型。29.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化铝颗粒未经烧结。30.如申请专利范围第1项之方法,其中该颗粒实质上系由氧化铝所组成。31.如申请专利范围第1项之方法,其中该颗粒系由氧化铝所组成。32.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化铝颗粒并非为吸收支撑物或触媒支撑物。33.如申请专利范围第16项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。34.如申请专利范围第16项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂。35.如申请专利范围第19项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。36.如申请专利范围第19项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂。37.如申请专利范围第19项之组合物,其中该氧化铜为CuO及该氧化锰为Mn2O3。38.一种吸附剂组合物、触媒组合物或吸附剂及触媒组合物,其包括由申请专利范围第8项之方法所制得之酸处理氧化物颗粒,且进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。39.一种制造增强之吸附性颗粒的方法,其包含将非陶瓷、多孔、氧化物吸收性颗粒与一具有稀浓度之酸相接触一段足够提高该颗粒之吸附性质的时间,其中该酸之浓度及接触时间系可提供一与该颗粒之酸接触作用,该接触作用系超过清洗表面作用,但小于侵蚀该颗粒的作用,且其中所产生的经酸处理之氧化物吸附性颗粒其后不再进行锻烧或再锻烧。40.如申请专利范围第39项之方法,其中该氧化物吸附性颗粒为二氧化矽,氧化锰,氧化铜,五氧化钒,氧化锆,氧化铁或二氧化钛。41.一种吸附剂组合物、触媒组合物或吸附剂及触媒组合物,其包括由申请专利范围第39项之方法所制得之酸处理氧化物颗粒,且进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。42.一种包含有氧化铝颗粒的组合物,该组合物系经由使非不定形、非陶瓷、结晶性、多孔、经锻烧的氧化铝颗粒与一具有稀浓度之酸相接触一段足够提高该颗粒之吸附性质的时间而制得者,该氧化铝颗粒系藉由在400℃–700℃温度下锻烧所生成的,其中该酸之浓度及接触时间系可提供一与该颗粒之酸接触作用,该接触作用系大于清洗表面作用,但小于侵蚀该颗粒的作用。43.如申请专利范围第42项之组合物,其进一步包括一第二氧化物吸附剂颗粒。44.如申请专利范围第43项之组合物,其进一步包括一氧化铝凝胶黏结剂。45.如申请专利范围第42项之组合物,其中该氧化物吸附剂颗粒为二氧化矽,氧化锰,氧化铜,五氧化钒,氧化锆,氧化铁或二氧化钛。46.如申请专利范围第42项之组合物,其中该氧化物吸附性颗粒为氧化铜及氧化锰。47.如申请专利范围第46项之组合物,其中该组合物包括50-98份经增强的氧化铝,1-49份氧化铜,1-49份氧化锰。48.如申请专利范围第46项之组合物,其中该组合物可通过三氯乙烯的EPA TCLP试验。49.如申请专利范围第46项之组合物,其中该氧化铜为CuO及该氧化锰为Mn2O3。50.如申请专利范围第46项之组合物,其中氧化铝颗粒并非为吸收体支撑物或触媒支撑物。51.如申请专利范围第46项之组合物,其中该氧化铜为CuO及该氧化锰为MnO2。52.如申请专利范围第49项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。53.如申请专利范围第46项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂或二氧化矽黏结剂。54.如申请专利范围第46项之组合物,其进一步包括一胶体氧化铝黏结剂。55.如申请专利范围第46项之组合物,其中该酸之稀浓度等于一具有小于或等于0.5重量%之乙酸水溶液者。56.如申请专利范围第46项之组合物,其中该酸之稀浓度等于一具有小于或等于0.1重量%之乙酸水溶液者。 |
