| 主权项 |
1.一种低介电材料之后处理程序,适用于半导体制程中已形成部份元件之一半导体基底,包括:在该半导体基底上形成一层介电材料层;对该低介电材料层表层进行一浅掺杂步骤,以使该低介电层材料层之表面致密化,藉以防止水气进入该低介电材料层中。2.如申请专利范围第1项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括MSQ。3.如申请专利范围第1项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之使用之掺质包括硼离子。4.如申请专利范围第3项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之能量约为10keV至50keV。5.如申请专利范围第3项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之剂量约为11015atm/cm2至11016atm/cm2。6.如申请专利范围第1项所述之低介电材料之后处理程序,其中在该浅掺杂步骤后,更包括进行一退火制程。7.如申请专利范围第6项所述之低介电材料之后处理程序,其中该退火制程系在以约摄氏350-450度的温度加热约30分钟。8.如申请专利范围第1项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括旋涂材料层。9.如申请专利范围第8项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括HSQ。10.如申请专利范围第1项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之使用之掺质包括氢离子。11.一种低介电材料之后处理程序,一种低介电材料之后处理程序,适用于半导体制程中已形成部份元件之一半导体基底,包括:在该半导体基底上形成一层介电材料层;以能量约为10keV至50keV、剂量约为11015atm/cm2至11016atm/cm2之一硼离子掺杂步骤对该低介电材料层表层进行布植,以使该低介电层材料层之表面致密化,藉以防止水气进入该低介电材料层中。12.如申请专利范围第11项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括旋涂材料层。13.如申请专利范围第12项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括MSQ。14.如申请专利范围第12项所述之低介电材料之后处理程序,其中该低介电材料层包括HSQ。15.如申请专利范围第11项所述之低介电材料之后处理程序,其中在该浅掺杂步骤后,更包括进行一退火制程。16.如申请专利范围第15项所述之低介电材料之后处理程序,其中该退火制程系在以约摄氏350-450度的温度加热约30分钟。17.一种低介电材料之后处理程序,适用于半导体制程中已形成部份元件之一半导体基底,包括:在该半导体基底上形成MSQ为材质之一低介电材料层;硼离子进行一浅掺杂步骤,对该低介电材料层表层进行布植,以使该低介电层材料层之表面致密化,藉以防止水气进入该低介电材料层中。18.如申请专利范围第17项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之能量约为10keV至50keV。19.如申请专利范围第17项所述之低介电材料之后处理程序,其中该浅掺杂步骤之剂量约为11015atm/cm2至11016atm/cm2。图式简单说明:第一图绘示的MSQ之结构图;第二图A到第二图D绘示的是一流程剖面图,显示根据本发明一个较佳实施例的施行步骤;第三图绘示的是MSQ薄膜之傅氏频谱图(FTIR),可显示MSQ薄膜之链结状态;第四图绘示的是MSQ薄膜之漏电流与施加电场的关系曲线图;以及第五图绘示的是其绘示不同处理程序之MSQ薄膜间之介电常数的比较图。 |
