| 主权项 |
1.一种自我对准之光学式编码器,包含:一主尺;一光源座,位于该主尺之第一侧部;一副尺,位于该主尺之第二侧部,该副尺包含一副尺载架、一指示副光栅及一光电侦测机构,其中指示副光栅及光电侦测机构制作于同一半导体元件上。2.如申请专利范围第1项之自我对准之光学式编码器,其中该指示副光栅包含四个相位光栅及一个零位光栅,该光电侦测机构包含五个光电半导体,且该指示副光栅之四个相位光栅及一个零位光栅和光电侦测机构之五个光电半导体相耦合。3.如申请专利范围第1项之自我对准之光学式编码器,其中该半导体元件包括:一矽晶片基座;一光电侦测机构,包含五个光电半导体,各设于该基座上,用于侦测通过的光通量;一指示副光栅,包含四个相位光栅和一个零位光栅,耦合于该光电半导体,用于干涉一入射之光源而造成光通量之改变;五个电极,可由外部施以电压,用于控制各该光电半导体之开启或关闭;及五个绝缘层,设于各该光电半导体和各该电极之间。4.如申请专利范围第3项之自我对准之光学式编码器,其更包含一抗反射包覆层,用于消除入射光线的反射量。5.如申请专利范围第3项之自我对准之光学式编码器,其中该光电半导体为光电二极体或光电电晶体。6.如申请专利范围第3项之自我对准之光学式编码器,其中各该相位光栅系为一组光栅栏所组成,并依序分为A相位光栅、A1相位光栅、B相位光栅、B1相位光栅,且A相位光栅与B相位光栅及A1相位光栅与B1相位光栅之相位差为90度,而A相位光栅与A1相位光栅及B相位光栅与B1相位光栅之相位差为180度。7.如申请专利范围第6项之自我对准之光学式编码器,其中该A相位光栅与A1相位光栅的距离为该光栅栏宽度的偶数倍,B相位光栅与B1相位光栅的距离亦为该光栅栏宽度的偶数倍。图式简单说明:第一图系根据本创作之较佳实施例的光学式编码器之立体图;第二图系根据本创作之副尺和包含指示副光栅及光电侦测机构的半导体元件之立体图;第三图系根据本创作之副尺载架和包含半导体元件的电路板之分解立体图;第四图(a)系根据本创作之半导体元件之侧视图;及第四图(b)系根据本创作之半导体元件之正视图。 |
