| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌之制造方法,包括:提供一基底,其中该基底包括一导电层与一介电层,该导电层与该介电层具有相同的表面高度;于该导电层与该介电层上,形成一第一无掺杂矽玻璃衬层;于该第一无掺杂矽坡璃衬层上形成一第一氟化矽玻璃层;于该第一氟化矽玻璃层上,形成具有一开口之一终止层,暴露部分该第一氟化矽玻璃层,其中该开口部分位于该导电层的上方;于该终止层上与该开口中,形成一第二无掺杂矽玻璃衬层;于该第二无掺杂矽玻璃衬层上形成一第二氟化矽玻璃层;以该终止层为终点,定义该第二氟化矽玻璃层与该第二无掺杂矽玻璃衬层,以形成一沟渠,暴露出部分该第一氟化矽玻璃层;以及继续蚀刻该第一氟化矽玻璃层与该第一无掺杂矽玻璃衬层,以形成一介层窗,暴露出部分该导电层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一无掺杂矽玻璃衬层与该第二无掺杂矽玻璃衬层的形成方法包括高密度电浆化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一无掺杂矽玻璃衬层与该第二无掺杂矽玻璃衬层的厚度约为100至500埃。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一氟化矽玻璃层与该第二氟化矽玻璃层的形成方法包括未加偏压未冷却的高密度电浆化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该终止层的材质包括氮氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该终止层的材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在形成该第一无掺杂矽玻璃衬层前,包括形成一氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在形成该第一无掺杂矽玻璃衬层前,包括形成一氮氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在形成该介层窗之后,更包括填入一铜金属层于该介层窗与该沟渠中。10.一种双重金属镶嵌之结构,其包括:一基底,其中该基底包括一导电层与一第一介电层,该导电层与该第一介电层具有相同的表面高度;一具有一第一开口之第二介电层,该第一开口暴露出部分该导电层,其中该第二介电层包括一第一无掺杂矽玻璃衬层,位于部分该导电层与该第一介电层上,一第一氟化矽玻璃层,位于该第一无掺杂矽玻璃衬层上,一终止层,位于该第一氟化矽玻璃层上;一具有一第二开口之第三介电层,位于该终止层上,该第二开口暴露出部分该导电层,且该第二开口大于该第一开口,其中该第二介电层包括一第二无掺杂矽玻璃衬层,位于该终止层上;一第二氟化矽玻璃层,位于该第二无掺杂矽玻璃衬层上;以及一金属层,填满该第一开口与该第二开口,该金属层与该导电层作电性相接。11.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一无掺杂矽玻璃衬层与该第二无掺杂矽玻璃衬层的厚度约为100至500埃。12.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该终止层的材质包括氮氧化矽。13.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该终止层的材质包括氮化矽。14.如申请专利范围第10项所述之结构,其中在该第一无掺杂矽玻璃衬层与该第一介电层间,更包括一氮化矽层。15.如申请专利范围第10项所述之结构,其中在该第一无掺杂矽玻璃衬层与该第一介电层间,更包括一氮氧化矽层。16.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该金属层之材质包括铜。17.一种内金属介电层的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一无掺杂矽玻璃层;以及于该无掺杂矽玻璃层上形成一氟化矽玻璃层。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该无掺杂矽玻璃衬层的形成方法包括高密度电浆化学气相沈积法。19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该无掺杂矽玻璃衬层的厚度约为100至500埃。20.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该氟化矽玻璃层的形成方法包括未加偏压未冷却的高密度电浆化学气相沈积法。图式简单说明:第一图系绘示习知一种双重金属镶嵌制程的剖面示意图;以及第二图A至第二图H系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种双重金属镶嵌之制造流程的剖面示意图。 |
