| 主权项 |
1.一种利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,包括下列步骤:提供一晶圆;在该晶圆上定义出一晶方区和一切割道区;于部份该切割道区形成复数虚拟图案;于该晶圆上形成一介电层;以及以化学机械研磨法,研磨部份该介电层,以全面性平坦化该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该切割道区包括一纵向切割道和一横向切割道。3.如申请专利范围第2项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该纵向切割道和该横向切割道之宽度约为100-120微米。4.如申请专利范围第2项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该些虚拟图案系形成在该纵向切割道和该横向切割道之交接处。5.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该虚拟图案和该晶方区之距离约为10-20微米。6.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,更包括在形成该介电层前,在该晶圆上形成一流动物质层,其中该流动物质层之材质系选自BSG、BPSG、HSQ和SOG所组成之族群。7.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该些虚拟图案之材质包括多晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中该些虚拟图案之材质包括金属。9.如申请专利范围第1项所述之方法,利用虚拟图案以增进晶方区与切割道平坦化的方法,其中在形成该些虚拟图案时,同时在该晶方区形成复数个半导体元件。图式简单说明:第一图是半导体晶圆的局部结构上视图;第二图A至第二图B为习知一种以化学机械研磨法将晶圆表面平坦化之流程剖面示意图;第三图A至第三图B为习知具有流动物质层之晶圆结构,以化学机械研磨法将晶圆表面平坦化之流程剖面示意图;第四图是本发明具有虚拟图案之晶圆结构上视图;第五图A至第五图B是本发明一较佳实施例,以化学机械研磨法将晶圆表面平坦化流程之剖面图;以及第六图绘示本发明一较佳实施例,具有流动物质层晶圆经平坦化后之部份结构剖面图。 |
