| 主权项 |
1.一种使用密集化旋涂式玻璃的平坦化方法,至少包含下列步骤:提供一第一导体层于半导体基板上;形成一阻障层于该第一导体层上;形成一旋涂式玻璃层于该阻障层上,利用该阻障层,以避免该旋涂式玻璃层与该第一导体层直接接触;固化该旋涂式玻璃层,其中该固化程序是在第一温度下进行;密集化该旋涂式玻璃层,其中自该第一温度,以每分钟约5℃之加热速率对该旋涂式玻璃层进行加热,直至温度抵达约600至800℃;和形成一第二导体层于该密集化旋涂式玻璃层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层至少包含多晶矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导体层至少包含金属。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之阻障层至少包含氧化物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一温度约为425℃。6.一种使用密集化旋涂式玻璃,使金属化前介电质平坦化之方法,至少包含下列步骤:提供一多晶矽层于一半导体基板上;形成一氧化层于该多晶矽层上;形成一旋涂式玻璃层于该氧化层上;加热该旋涂式玻璃至第一温度以固化该旋涂式玻璃层;自该第一温度以每分钟约5℃的加热速率,对该旋涂式玻璃进行加热,直至抵达600至800℃为止,以密集化该旋涂式玻璃层;和形成一金属层于该密集化旋涂式玻璃层上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述第一温度约为425℃。图式简单说明:第一图显示根据本发明其中一实施例之剖面图;第二图显示根据本发明其中一实施例,所对应的流程图;第三图A显示一次密集化SOG层与无密集化SOG层的吸收率-波数图;和第三图B显示二次密集化SOG层与一次密集化SOG层的吸收率-波数图。 |
