| 主权项 |
1.一种影像感测器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底中形成具有第一导电型的一井;于该基底上形成一氧化层和一第一复晶矽层;于该第一复晶矽层和该氧化层中形成一开口,该开口大致环绕于该井中之一感测区之周缘;于该第一复晶矽层上覆盖一第二复晶矽层,并填入该开口中与该基底接触;以该第一复晶矽层和该第二复晶矽层为一缓冲层,于该井中之该感测区形成具有第二导电型的一掺杂区;将该第一复晶矽层和该第二复晶矽层图案化,以于该感测区形成一堆叠复晶矽环;于该井中之一电路区形成一电晶体;以及形成一金属导线连接该堆叠复晶矽环和该电晶体之一闸极。2.如申请专利范围第1项所述之该影像感测器的制造方法,其中该第一导电型包括P型,该第二导电型包括N型。3.如申请专利范围第1项所述之该影像感测器的制造方法,其中该基底为具有第一导电型。4.如申请专利范围第1项所述之该影像感测器的制造方法,其中于该基底中形成具有第一导电型的该井后,更包括于该基底中形成一元件隔离结构。5.如申请专利范围第1项所述之该影像感测器的制造方法,其中于该井中之该感测区形成具有第二导电型的该掺杂区的步骤中,所使用的掺质包括磷离子。6.如申请专利范围第1项所述之该影像感测器的制造方法,其中于该井中之该电路区形成该电晶体的步骤之前,更包括剥除该氧化层。7.一种影像感测器,该影像感测器由复数个光感测单元胞所构成,每一该些光感测单元胞包括一光感测区和一电路区,该影像感测器包括:一PN光二极体位于一基底中之该光感测区;一复晶矽环位于该基底上之该光感测区之周缘,且与该PN光二极体接触;以及一金属导线,连接该复晶矽环与该电路区之一电晶体。图式简单说明:第一图A至第一图H系绘示根据本发明较佳实施例之一种CMOS感测器之制造流程剖面图;以及第二图系绘示根据本发明较佳实施例之一种CMOS感测器之顶视图。 |
