| 主权项 |
1.一种于一电晶体中形成一闸极导体盖之方法,包含下列步骤:形成一闸极导体之一多晶矽部于一具有一半导体部之基材上;搀杂该多晶矽部;搀杂复数扩散区于半导体部;以及藉一选择性渗氮法加盖闸极导体。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该选择性渗氮法包含选择性氮化物沉积。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该选择性渗氮法包含选择性表面氮化作用。4.如申请专利范围第2项之方法,其进一步包含形成蚀刻反向闸极导体间隔件而暴露闸极导体角隅之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中搀杂多晶矽部步骤及搀杂复数扩散区步骤系同时藉选自化学搀杂及离子植入方法进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含于多晶矽部及复数扩散区同时形成选择性金属矽化物之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该加盖闸极导体步骤进一步包含遮罩闸极导体之一接触区用于局部互连体。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该加盖闸极导体步骤进一步包含遮罩闸极导体之一接触区用于闸极接点。9.如申请专利范围第2项之方法,其中该经由选择性氮化物沉积加盖闸极导体之步骤包含于10:1容积比氨及矽烷存在下于0.1-760托耳压力暴露形成于半导体部上的结构于10-1000次带有能量流量100-500毫焦/平方厘米之雷射照射暴露脉冲。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该经由选择性氮化物沉积加盖闸极导体之步骤包含于10:1容积比氨及矽烷存在下于1-10托耳压力暴露形成于半导体部上的结构于50-300次带有能量流量约300毫焦/平方厘米之308毫微米雷射照射暴露脉冲。11.如申请专利范围第9项之方法,其中氨系于约100立方厘米/分钟供应及矽烷系于约10立方厘米/分钟供应。12.如申请专利范围第3项之方法,其中该藉选择性表面渗氮加盖闸极导体之步骤包含于10-1500托耳压力之氨存在下,暴露形成于半导体部之结构于100-2000次带有能量流量200-700毫焦/平方厘米之雷射照射暴露脉冲。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该藉选择性表面渗氮加盖闸极导体之步骤包含于约1200托耳压力之氨存在下,暴露形成于半导体部之结构于约300次带有能量流量400-500毫焦/平方厘米之308毫微米雷射照射暴露脉冲。14.如申请专利范围第12项之方法,其中氨系于约100立方厘米/分钟供应。15.一种形成一半导体装置之方法,包含下列步骤:形成一闸极导体之一多晶矽部于一具有一半导体部之基材上;搀杂该多晶矽部;搀杂复数扩散区于半导体部;藉选择性渗氮法加盖闸极导体;以及形成无边界闸极接点至闸极导体。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该选择性渗氮法包含选择性氮化物沉积。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该选择性渗氮法包含选择性表面氮化作用。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该加盖闸极导体之步骤进一步包含遮罩闸极导体之接触区获得局部互连体及闸极接点。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该经由选择性氮化物沉积加盖闸极导体之步骤包含于10:1容积比氨及矽烷于1-10托耳压力于约100立方厘米/分钟氨及约10立方厘米/分钟矽烷存在下暴露形成于半导体部上的结构于50-300次带有能量流量约300毫焦/平方厘米之308毫微米雷射照射暴露脉冲。20.如申请专利范围第17项之方法,其中该藉选择性表面渗氮加盖闸极导体之步骤包含于约1200托耳压力于约100立方厘米/分钟氨存在下,暴露形成于半导体部之结构于约300次带有能量流量400-500毫焦/平方厘米之308毫微米雷射照射暴露脉冲。21.一种电晶体,包含一氮化物加盖闸极导体及无边界扩散接点,其中该加盖系藉选择性渗氮法进行,以及其中部分闸极导体系于渗氮法期间被遮罩而仅留下接触区开放供一局部互连体。22.如申请专利范围第21项之电晶体,其中该选择性渗氮法包含选择性氮化物沉积。23.如申请专利范围第21项之电晶体,其中该选择性渗氮法包含选择性表面渗氮。图式简单说明:第一图为流程图显示根据本发明之较佳具体例形成无边界闸极结构之方法;第二图为第一图步骤150之流程图细节;第三图为晶圆部剖面图显示短路闸极;第四图为晶圆部剖面图显示有边界的接触;第五图为于根据习知方法形成无边界接触方法中间之一晶圆部之剖面图;第六图为由根据习知方法形成无边界接触方法所得晶圆部之剖面图;第七图-第十五图为于第一图及第二图之方法中间之晶圆部之剖面图;以及第十六图为晶圆部之剖面图显示根据本发明之较佳方法形成的无边界接触。 |
